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英諾賽科IC芯片產(chǎn)品選型手冊PDF文檔:InnoGaN電源應用技術(1)(1).pdf
英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成,我們相信GaN可以改變世界,我們的目標是以更低的價格,向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件,并且實現(xiàn)GaN技術在市場的廣泛應用。
英諾賽科的核心技術團隊由半導體和(電力)電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領先公司,在硅基氮化鎵技術的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。
此外,為了展示英諾賽科在氮化鎵技術領域擁有的潛力,并更加順利地推廣產(chǎn)品,英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領域的專家,用于進行面向特殊應用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科(Innoscience)創(chuàng)立于2015年12月17日,旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵(GaN )的生產(chǎn)基地。
公司成立之初,英諾賽科的創(chuàng)始人就深知,如果想實現(xiàn)氮化鎵技術在市場上的廣泛應用,產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣,還需要解決另外三個痛點:首先是成本,具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力,以應對市場的爆發(fā)。第三,要確保器件供應鏈穩(wěn)定,有了穩(wěn)定的貨源供應,客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā),無需擔心因氮化鎵器件供應戰(zhàn)略的變化而導致停產(chǎn)。因此,Innoscience 明白,只有擴大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線,才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規(guī)模推廣的三個痛點(價格、數(shù)量和供應安全)。
從一開始,英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓,與6英寸相比,8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時,英諾賽科采用C-MOS工藝,以便將多年來在三極管生產(chǎn)領域積累的經(jīng)驗和優(yōu)化措施應用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天,英諾賽科已實現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前,公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,采用最先進的8英寸生產(chǎn)工藝,是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前,英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達到每月10000片,并將逐漸擴大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就,離不開招銀國際、SK、ARM和CATL等世界級投資方的支持。
開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件。同時,因為我們擁有大規(guī)模量產(chǎn)能力、采用8英寸先進的生產(chǎn)工藝,所以在產(chǎn)能、器件性能、可靠性、工藝穩(wěn)定性及價格合理性都具有顯著的競爭優(yōu)勢。我們與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術相關系統(tǒng)和解決方案的開發(fā)。
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