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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2736/36U集成多種協(xié)議USB 端口快充協(xié)議 IC

2023-11-04 查看(931)

集成 PD2.0/PD3.1/PPS/EPR 28V 協(xié)議集成對(duì) E-Marker 線纜的識(shí)別和支持集成 Qc5/QC4+/QC3+/ac3.0/Qc2.0 協(xié)議支持 Class B 電壓等級(jí),適配器、車充等單向輸出應(yīng)用提供完整的解決方案。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP2723T/TH集成多和協(xié)議,用于 USBC快充協(xié)議IC

2023-11-03 查看(1056)

IP2723TH 集成多種協(xié)議、用于 USB 輸出端口的快充協(xié)議 IC。支持多種快充協(xié)議,適配器、車充等單向輸出應(yīng)用提供完整的 TYPE-C 解決方案。IP2723TH 具備高集成度與豐富功能,在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件,有效減小整體方案的尺寸,降低 BOM 成本。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700TK350B是英諾賽科700V GaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-03 查看(956)

英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開(kāi)關(guān)管,采用TO252封裝,額定耐壓為700V,瞬態(tài)耐壓為800V,具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓,220V輸入滿載輸出效率高達(dá)93.5%,體現(xiàn)氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700D190B是英諾賽科700V硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-03 查看(1069)

INN700D190B英諾賽科GaN氮化鎵65W快充PD/QC充電器電源ic芯片,一款功能強(qiáng)大的硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管,適用于多種應(yīng)用,特別是需要高耐壓、高頻率、高效率和低開(kāi)關(guān)損耗的應(yīng)用。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 INN700DA350B英諾賽科700VGaN增強(qiáng)型功率晶體管

2023-11-01 查看(748)

氮化鎵MOS,耐壓700V,內(nèi)阻mΩ350,封裝DFN5*6,適用功率45-75W,適配產(chǎn)品充電器。尺寸為5mmX6mm的雙扁平無(wú)鉛封裝(DFN)700V硅基GaN增強(qiáng)型功率晶體管,增強(qiáng)型晶體管正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英集芯IP6537U集成多種快充45W輸出協(xié)議降壓ic芯片SOC

2023-10-24 查看(820)

支持PD2.0/PD3.0/PPS,QC2.0/QC3.0/QC3+,AFC,FCPMTK,可提供最大45W 的輸出功率,能夠根據(jù)識(shí)別到的快充協(xié)議自動(dòng)調(diào)整輸出電壓和電流。IP6537U 采用 QFN24(4mm*4mm)封裝,應(yīng)用:車載充電器,快充適配器。 ...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 英諾賽科GaN設(shè)計(jì)的65W氮化鎵GAN PD充電器成熟量產(chǎn)方案

2023-10-10 查看(747)

英諾賽科GaN功率器件INN650D01和INN650D02設(shè)計(jì)的65W氮化鎵GAN PD充電器成熟量產(chǎn)方案,助力快充充電器廠家快速應(yīng)用氮化鎵小體積充電器方案。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 65w氮化鎵和普通65w有什么區(qū)別?65w氮化鎵充電器優(yōu)點(diǎn)

2023-10-10 查看(797)

基于國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件廠家英諾賽科InnoGaN開(kāi)發(fā)完成的AC-DC電源65W氮化鎵充電器方案。產(chǎn)品系列包含1C、1A+1C,2C,1A+2C等多種輸出款式方案,同時(shí)可根據(jù)要求為客戶設(shè)計(jì)氮化鎵充電器方案。輕松通過(guò)國(guó)內(nèi)外各類業(yè)內(nèi)認(rèn)證。...
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氮化鎵GaN/協(xié)議 100W氮化鎵充電器方案提供氮化鎵方案設(shè)計(jì)_聚泉鑫

2023-10-10 查看(1127)

氮化鎵功率器件具備高速高頻高效的特性,能夠讓大功率USB PD100W充電器不再是魁梧的板磚,小巧的體積一樣可以實(shí)現(xiàn)100W大功率輸出。GaN(氮化鎵)相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體,有著比硅基半導(dǎo)體出色的擊穿能力,更高的電子密度和電子遷移率,還有更高的工作溫度。...