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第一代半導(dǎo)體材料: 主要是指硅 (Si)、鍺素 (Ge) 半導(dǎo)體材料
集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機(jī)、電視航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)。
第二代半導(dǎo)體材料:砷化嫁GaAs、銻化銦InSb
主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。
第三代半導(dǎo)體材料:氮化鎵GaN、碳化硅SiC
手機(jī)快充目前應(yīng)用廣泛、激光雷達(dá)、射頻、通信等領(lǐng)域。
工藝結(jié)構(gòu)對(duì)比
GaN體內(nèi)PN結(jié)特性,即無體二極管特性
?
D,S間導(dǎo)體通過中間電子層導(dǎo)通,雙向可導(dǎo)通
?
耗盡型D-MODE GaN需要負(fù)壓關(guān)斷,目前使用的為E-MODE GaN,可以實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)斷
?
E-MODE GaN有凹槽型增強(qiáng)型、p型GaN柵增強(qiáng)型、共源共柵增強(qiáng)型
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