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近兩年來市場(chǎng)上不斷出現(xiàn)各類新型氮化鎵方案,功率亦出現(xiàn)兩極分化的趨勢(shì),即一種是往120W、150W、200W以上的大功率氮化鎵方案發(fā)展;另一種情況則往實(shí)用型手機(jī)PD快充轉(zhuǎn)變,如45W、30W、20W特別是33W氮化鎵充電器方案等。
此次為大家?guī)硪豢罹邆?strong>爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案,采用英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片。
爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案的基本框架,采用RM6601ND+INN650DA04+RM5020T+RMD070N10S配套。
爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案特點(diǎn):
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